涂膠和顯影是光刻前后的重要步驟，設(shè)備以不同工藝所用的光刻膠、關(guān)鍵尺寸等方面的差異來分類。

光刻涂膠工藝

無論在晶圓制造前道工藝還是封裝測試后道工藝，都需要涂膠顯影設(shè)備。半導(dǎo)體設(shè)備按半導(dǎo)體加工過程主要分為前道工藝（Front-End，即晶圓制造）設(shè)備和后道工藝（Back-End，即封裝測試）設(shè)備兩大類。涂膠/顯影機在前道工藝中是光刻工藝重要環(huán)節(jié)的設(shè)備，在后道工藝中主要應(yīng)用封裝技術(shù)的涂膠、顯影等工序。后道先進封裝使用晶體管的前道制造方式，制作后道連接電路，故先進封裝的工藝流程與前道相似，所需設(shè)備類別也大體相同，只在關(guān)鍵尺寸與精度上同前道有區(qū)別，使用圓片級封裝時，涂膠顯影設(shè)備所需尺寸與前道相同，主要為8/12寸涂膠顯影設(shè)備。

涂膠和顯影是光刻前后的重要步驟，設(shè)備以不同工藝所用的光刻膠、關(guān)鍵尺寸等方面的差異來分類。

光刻膠是半導(dǎo)體，面板，PCB等領(lǐng)域加工制造中的關(guān)鍵材料。光刻膠是由樹脂，感光劑，溶劑，光引發(fā)劑等組成的混合液態(tài)感光材料。光刻膠應(yīng)用的原理是利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)光刻工藝將所需要的微細圖形轉(zhuǎn)移到加工襯底上，來達到在晶圓上刻蝕出所需的圖形或抗離子注入的目的。

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