在加工微流控芯片的同時(shí)，需要在基片上沉積各種材料的薄膜。制造加工薄膜的四種方法：

氧化

氧化是將硅片在氧化環(huán)境中加熱到900~1100℃的高溫，在硅的表面上生長(zhǎng)出的一層二氧化硅。根據(jù)所用氧化劑的不同，氧化又可分為

水汽氧化：水汽氧化的氧化劑是水蒸氣

干氧氧化：干氧氧化的氧化劑是氧氣

濕氧氧化：濕氧氧化的氧化劑則介于水汽氧化和干氧氧化之間，是他們兩者的混合物。其化學(xué)反應(yīng)方程式分別為：

Si+2H2O→SiO2+2H2   水汽氧化

Si+O2→SiO2          干氧氧化

化學(xué)氣相沉積

化學(xué)氣相沉積是氣態(tài)反應(yīng)物在反應(yīng)器中通過(guò)特定的化學(xué)反應(yīng)，使反應(yīng)產(chǎn)物沉積在加熱基片上鍍膜過(guò)程的總稱。分為常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)和等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)。一般而言常用化學(xué)氣相沉積法制備多晶硅、二氧化硅和氮化硅薄膜。

蒸發(fā)

薄膜制備工藝的蒸發(fā)是在真空環(huán)境中加熱金、鉻、鋁、硅等單質(zhì)或三氧化二鋁、二氧化硅等化合物，使它們氣化為氣態(tài)原子或分子沉積在基片表面形成薄膜。

濺射

濺射鍍膜的原理是在真空室內(nèi)使微量氬氣或氦氣電離，電離后的離子在電場(chǎng)的作用下向陰極靶加速運(yùn)動(dòng)并轟擊靶，將靶材料的原子或分子濺射出來(lái)，在作為陽(yáng)極的基片上形成薄膜。

免責(zé)聲明：文章來(lái)源網(wǎng)絡(luò)  以傳播知識(shí)、有益學(xué)習(xí)和研究為宗旨。 轉(zhuǎn)載僅供參考學(xué)習(xí)及傳遞有用信息，版權(quán)歸原作者所有，如侵犯權(quán)益，請(qǐng)聯(lián)系刪除。