刻蝕技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本知道工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工。對于芯片刻蝕來說，刻蝕被分為濕法刻蝕和干法刻蝕兩種。

干法刻蝕技術(shù)是利用等離子體激活的化學(xué)反應(yīng)或者是利用高能離子束轟擊去除物質(zhì)的方法。

干法刻蝕特點

各向異性，縱向的刻蝕速率遠(yuǎn)大于橫向的刻蝕速率；

離子對光刻膠和無保護(hù)的薄膜同時進(jìn)行刻蝕，選擇性比濕法腐蝕差。

干法刻蝕的分類

1、等離子體刻蝕：利用輝光放電產(chǎn)生的活性粒子與需要刻蝕的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成揮發(fā)性產(chǎn)物完成刻蝕。

具有比較好的選擇性，各向異性相對較差。

      2、濺射刻蝕：高能離子轟擊需要刻蝕的材料表面，通過濺射的物理過程完成刻蝕。

具有比較好的各向異性，但選擇性相對較差。

      3、反應(yīng)離子刻蝕：介于濺射刻蝕與等離子刻蝕之間的刻蝕技術(shù)，桐樹利用了物理濺射和化學(xué)反應(yīng)的刻蝕機(jī)制。

可以靈活地選取工作條件以求獲得最佳的刻蝕效果，同時具有較好的選擇性和各向異性。