一、光刻工藝所需設(shè)備

一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。光刻過程中涉及到的試劑以及設(shè)備如下：

光刻膠： 又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng)，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)適當(dāng)?shù)娜軇┨幚?，溶去可溶性?分，得到所需圖像。

勻膠機(jī)：用于光刻工藝前的光刻膠旋涂。即在高速旋轉(zhuǎn)的基片上，滴注光刻膠，利用離心力使滴在基片上的膠液均勻地涂覆在基片上，厚度視不同膠液和基片間的粘滯系數(shù)而不同，也和旋轉(zhuǎn)速度及時(shí)間有關(guān)。

烘膠機(jī)：用于光刻工藝中的前烘和堅(jiān)膜。在烘膠臺商烘干硅片，去除硅片上的水蒸氣，使光刻膠可以更加牢固的粘結(jié)在硅片表面。使用SU-8光刻膠制作掩膜版時(shí)還需進(jìn)行后烘，將甩干后的硅片在烘膠臺上烘干再次烘干，使顯影后的光刻膠硬化，提高強(qiáng)度。

光刻機(jī)：將圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程，也就是將微結(jié)構(gòu)臨時(shí)“復(fù)制”到硅片上的過程。

顯影液：將曝光后的圖形顯示出來

去膠液：去除表面多余的光刻膠

真空干燥箱：PDMS倒入制作好的模具后放入真空干燥箱快速干燥。

二、玻璃刻蝕需要用到搖床

三、微流控芯片鍵合所需設(shè)備

馬弗爐：玻璃+玻璃鍵合

等離子清洗機(jī)：PDMS+玻璃、PDMS+PDMS、硅片+PDMS鍵合

真空熱壓鍵合機(jī)：PMMA+PMMA、PC+PC鍵合

雙面膠：玻璃+PMMA、PMMA+PMMA鍵合

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