一、認(rèn)真核對(duì)隨工單：檢查隨工單上的工步與片子數(shù)是否與實(shí)際相符，如果正確，將其倒入黑盒中，用倒邊器檢查片子是否有崩邊，若有則查對(duì)隨工單上是否有標(biāo)明，若無，退回上步工序。確定無誤后，按照隨工單上的要求制作。

二、光刻的主要步驟：

勻膠、前烘、曝光、顯影、顯影后檢查

勻膠：

目的：在硅片表面均勻涂上一層厚度一定的光刻膠

準(zhǔn)備工作：

①、泡膠嘴、擦膠嘴、走陪片

②、檢查膠瓶?jī)?nèi)光刻膠（膠液面距瓶底5厘米，及時(shí)更換新膠，并填寫“換膠記錄表”） 

③ 、按隨工單加工工步、勻膠程序 確定表，選擇正確的勻膠程序

注意：在勻膠過程中，如發(fā) 生不明原因的報(bào)警應(yīng)通知設(shè)備人員；停用5分鐘以上應(yīng)先勻3個(gè)陪片，方可進(jìn)行正式片的勻膠。

前烘

目的：將涂在硅片表面的膠內(nèi)溶劑充分揮發(fā)，增強(qiáng)抗顯影能力

主要步驟：

①、將勻完膠的硅片從黑色的片架中倒入白色的四氟片架中

②、將硅片放入烘箱中，負(fù)膠烘15分鐘，正膠25分鐘

③、將烘好的硅片取出，倒入黑色聚乙烯片架中

注意：操作時(shí)必須帶上手套操作

曝光

目的：將掩膜版上的圖形復(fù)印到硅片上

主要步驟：

①、檢查光刻版：將光刻版放在UV燈下檢查，照射背面檢查是否有顆粒，若有用氮?dú)獯档?，切忌不要吹正?/span>

②、裝版：將版盒打開，開口方向背對(duì)自己，將光刻版正面朝下，箭頭朝左下方，扣上版盒，準(zhǔn)備曝光

③、上版與對(duì)版：

        RTLD〉RCHG/N

        FILE NAME = C：MK609-

        RETICLE NAME = M2

        EXECUTE？

   ④、 曝光操作：

        FEXP〉PRNT/IO             

PARAMETER CHECK COMPLETE (「Y」OR N)=_N_找到  EXP. TIME= 按“空格”修改曝光時(shí)間（見 “曝光時(shí)間確定表”）HOW MANY WAFERS = _1_待片子上到載片臺(tái)后，手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行曝光，顯影，檢驗(yàn)，確認(rèn)無誤后，對(duì)硅片繼續(xù)進(jìn)行曝光

曝光時(shí)間確定表

顯影

目的：將未感光部分的負(fù)性光刻膠溶除，留下感光部分的膠膜；將感光部分的正性光刻膠 除，留下未感光部分的膠膜

注意事項(xiàng)：

①、檢查N2壓力不低于22PSI，真空壓力必須大于22或23Hg/cm2,顯影液壓力調(diào)制15PSI

②、檢查顯影液是否夠，若不夠，要及時(shí)添加

③、機(jī)器若出現(xiàn)故障，及時(shí)通知班長(zhǎng)或技術(shù)員

注意：氧化層光刻后帶膠注入的片子一定要走熱盤

顯影后檢查

目的：確定光刻膠成像情況及表面情況是否符合要求，以確定能否進(jìn)行下道工序

基本步驟：

①、UV燈下檢查光刻膠是否有劃傷、沾污或覆蓋不完全的情況

②、顯微鏡下檢查是否沒有光刻膠圖形、重復(fù)曝光、浮膠、圖形 套偏（錯(cuò)行，錯(cuò)位）、接觸不良、曝光不適度、光刻膠覆蓋不完全、顯影不徹底、連條、沾污、缺口、毛刺等現(xiàn)象